Mamed R. Ismail-zade
- Senior Lecturer:HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE) / School of Electronic Engineering
- Mamed R. Ismail-zade has been at HSE University since 2013.
Education and Degrees
- 2022
Candidate of Sciences* (PhD)
HSE University - 2019
Doctoral programme
HSE University - 2015
Master's in Electronics and Nanoelectronics
HSE University
According to the International Standard Classification of Education (ISCED) 2011, Candidate of Sciences belongs to ISCED level 8 - "doctoral or equivalent", together with PhD, DPhil, D.Lit, D.Sc, LL.D, Doctorate or similar. Candidate of Sciences allows its holders to reach the level of the Associate Professor.
![](/images/traits/tp.png)
Young Faculty Support Programme (Group of Young Academic Professionals)
Category "New Lecturers" (2019)
Courses (2023/2024)
- Circuit Engineering of Telecommunication Devices (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 3 year, 1, 2 module)Rus
- Electronics (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 3 year, 1 module)Rus
- Electronics (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 2 year, 4 module)Rus
- Electronics (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 2 year, 3, 4 module)Rus
- Project Seminar "Introduction to Specialty" (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 1 year, 3, 4 module)Rus
- Past Courses
Courses (2022/2023)
- Circuit Engineering of Telecommunication Devices (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 3 year, 1, 2 module)Rus
- Electronics (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 3 year, 1 module)Rus
- Electronics (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 2 year, 4 module)Rus
- Electronics (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 2 year, 3, 4 module)Rus
Courses (2021/2022)
- Circuit Engineering of Telecommunication Devices (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 3 year, 1, 2 module)Rus
- Electrical Engineering, Electronics and Metrology (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 3 year, 1, 2 module)Rus
- Electronics (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 2 year, 4 module)Rus
- Electronics (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 2 year, 3, 4 module)Rus
Courses (2020/2021)
- Circuit Engineering of Telecommunication Devices (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 3 year, 3, 4 module)Rus
- Electronics (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 2 year, 3, 4 module)Rus
- Electronics, Electrical and Metrology (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 3 year, 1, 2 module)Rus
- Electronics, Electrical and Metrology (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 2 year, 3, 4 module)Rus
Courses (2019/2020)
- Circuit Engineering of Telecommunication Devices (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 3 year, 3, 4 module)Rus
- Electronics (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 2 year, 3, 4 module)Rus
- Electronics, Electrical and Metrology (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 2 year, 3, 4 module)Rus
20232
- Article Петросянц К. О., Силкин Д. С., Попов Д. А., Исмаил-Заде М. Р., Харитонов И. А., Переверзев Л. Е., Морозов А. А., Тургенев П. В. Особенности TCAD-SPICE-моделирования удара заряженной частицы в 6T-ячейку статической памяти, изготовленную по КМОП-технологии с проектными нормами 28 нм // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2023. Т. 28. № 6. С. 826-837. doi
- Article Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Исмаил-Заде М. Р., Кожухов М. В., Харитонов И. А., Попов Д. А., Силкин Д. С. Программно-аппаратный комплекс для определения параметров SPICE-моделей электронных компонентов для гражданских и специальных применений // Наноиндустрия. 2023. Т. 16. № S9-1(119). С. 179-188. doi
20223
- Chapter K.O. Petrosyants, D.S. Silkin, D.A. Popov, M.R. Ismail-Zade. Analysis of SEU effects in MOSFET and FinFET based 6T SRAM Cells, in: Proceedings of 2022 IEEE Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT) / Сост.: И. А. Иванов, O. Stukach.; Ed. by O. Stukach. M. : IEEE, 2022. doi P. 1-4. doi
- Chapter Konstantin O. Petrosyants, Mamed R. Ismail-zade, Sambursky L. M. Compact SPICE Models of Sub-100 nm FDSOI and FinFET Devices in the Wide Temperature Range (-269°C … + 300°C), in: 2022 28th International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC). IEEE, 2022. doi P. 1-4. doi
- Article Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Кожухов М. В., Попов Д. А., Пугачев А. А., Самбурский Л. М., Силкин Д. С., Харитонов И. А. Подсистема TCAD- и SPICE-моделирования элементов кремниевых БИС с учетом влияния температуры, радиации и старения // Наноиндустрия. 2022. Т. 15. № S8-1(113). С. 183-194. doi
20214
- Article Ismail-zade M. R. JFET and MOSFET SPICE Models in a Wide Temperature Range / Пер. с рус. // Russian Microelectronics. 2021. Vol. 50. No. 7. P. 486-490. doi
- Article Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kozhukhov M., Ismail-zade M. R., Kharitonov I. A., Li B. SPICE Compact BJT, MOSFET and JFET Models for ICs Simulation in the Wide Temperature Range (from -200 °C to +300 °C) // IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems. 2021. Vol. 40. No. 4. P. 708-722. doi
- Chapter Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М. Исследование возможностей применения различных промышленных экстракторов для определения параметров SPICE-моделей субмикронных МОПТ в диапазоне температуры до 300°С // В кн.: Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов МММЭК–2021. М. : МАКС Пресс, 2021. doi С. 117-120. doi
- Chapter Исмаил-Заде М. Р. Оценка эффективности применения различных промышленных экстракторов для определения параметров SPICE-моделей субмикронных МОП-транзисторов // В кн.: Спецвыпуск Наноиндустрия. Российский форум "Микроэлектроника-2021". 7-я Научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули» Сборник тезисов Т. 14. Вып. 7s. М. : Рекламно-издательский центр "ТЕХНОСФЕРА", 2021. doi С. 912-913. doi
20208
- Article Petrosyants K. O., Ismail-zade M. R., Sambursky L. M. Compact Si JFET Model for Cryogenic Temperature // Cryogenics. 2020. Vol. 108. P. 1-6. doi
- Chapter Lev M. Sambursky, Mamed R. Ismail-zade, Nina V. Blokhina. Early Study of Transistor and Circuit Parameter Variation for 180 nm High-Temperature SOI CMOS Production Technology, in: 2020 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT). IEEE, 2020. P. 1-7. doi
- Chapter Ismail-zade M. R., Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Zhang X., Li B., Luo J., Han Z. SPICE Modeling of Small-Size Bulk, SOI and SOS MOSFETs at Deep-Cryogenic Temperatures, in: 2020 26th International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC). IEEE, 2020. doi P. 97-103. doi
- Chapter Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М. SPICE модели субмикронных КМОП транзисторов в диапазоне криогенной температуры // В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г. М. : МАКС Пресс, 2020. С. 229-232. doi
- Article Исмаил-Заде М. Р. SPICE-модели JFET и MOSFET в широком диапазоне температур // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2020. Т. 25. № 1. С. 40-47. doi
- Article Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М., Харитонов И. А., Силкин Д. С. SPICE-модели для учета радиационных и низкотемпературных эффектов в суб-100 нм МОП-транзисторных структурах // Наноиндустрия. 2020. Т. 13. № S5-2. С. 386-392. doi
- Chapter K. O. Petrosyants, D. A. Popov, M. R. Ismail-Zade, L. M. Sambursky, Li B., Wang Y. C. TCAD and SPICE Models for Account of Radiation Effects in Nanoscale MOSFET Structures, in: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2020). / Под общ. ред.: А. Л. Стемпковский. Вып. 4. ИППМ РАН, 2020. P. 2-8. doi
- Article K. O. Petrosyants, M. R. Ismail-Zade, L. M. Sambursky. The Special Features of Simulation of the Current–Voltage Characteristics of JFETs in the Cryogenic Temperature Range / Пер. с рус. // Russian Microelectronics. 2020. Vol. 49. No. 7. P. 501-506. doi
20192
- Chapter Исмаил-Заде М. Р. SPICE-модели JFET и MOSFET в широком диапазоне температуры (–200…+300°C) // В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2019». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, 23-25 сентября 2019 г. М. : ООО "Спектр", 2019. С. 284-292.
- Article Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М. Особенности моделирования ВАХ JFET-транзисторов в диапазоне криогенных температур // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2019. Т. 24. № 2. С. 174-184. doi
20185
- Chapter Petrosyants K. O., Ismail-zade M. R., Sambursky L. M., Dvornikov O. V., Lvov B. G., Kharitonov I. A. Automation of Parameter Extraction Procedure for Si JFET SPICE Model in the −200…+110°C Temperature Range, in: 2018 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT). Proceedings. M. : IEEE, 2018. P. 1-5. doi
- Chapter Lev M. Sambursky, Dmitry A. Parfenov, Mamed R. Ismail-zade, Alexander S. Boldov, Borislav S. Dubyaga. Prediction of High-Temperature Operation (up to +300°C) of Reference Voltage Source Built with Temperature-Tolerant Production Technology, in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS'2018). IEEE Computer Society, 2018. P. 609-613. doi
- Chapter Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. SPICE-модели полевых транзисторов со структурой MOSFET и JFET для расширенного диапазона температуры до –200°C // В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2018) / Под общ. ред.: А. Л. Стемпковский. Вып. 3. М., Зеленоград : ИППМ РАН, 2018. С. 111-117. doi
- Chapter Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Исмаил-Заде М. Р. Принципы разработки библиотек SPICE-моделей электронных компонентов для ответственных применений отечественного производства // В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2018». 4-я Международная научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули». Сборник тезисов. Республика Крым, г. Алушта, 01–06 октября 2018 г. М. : Техносфера, 2018. С. 308-312.
- Chapter Петросянц К. О., Попов Д. А., Самбурский Л. М., Исмаил-Заде М. Р., Харитонов И. А. Экспериментальное исследование и моделирование ВАХ субмикронных МОП-транзисторов в диапазоне температуры -200…+300°C // В кн.: XVII Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 14 - 18 мая 2018 года, г. Суздаль, Россия. М. : НИИСИ РАН, 2018. С. 67-68.
20179
- Chapter Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Kozhukhov M., Sambursky L. M., Ismail-zade M. R. An Efficient Approach to Simulation of Radiation Effects in bipolar and MOSFET IC’s using Non-Specialized SPICE Simulators, in: 2017 International Workshop on Reliability of Micro- and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment” (IWRMN-EDHE 2017). Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, 2017. P. 1-3.
- Chapter Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kharitonov I. A., Ismail-zade M. R. Generalized Test Automation Method for MOSFET’s Including Characteristics Measurements and Model Parameters Extraction for Aero-Space Applications, in: Proceedings of XV IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS'2017). Piscataway : IEEE, 2017. P. 504-511. doi
- Chapter Mamed R. Ismail-zade, Aleksandr Y. Romanov, Egor Y. Kuzin, Vladimir S. Danykin, Igor A. Chetverikov. Hardware-Software System for Automation of Characteristics Measurement of SOI CMOS VLSI Elements under Extreme High Temperature Conditions (up to 300°C), in: Proceedings of the 2017 IEEE Russia Section Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering Conference (2017 ElConRus) Part 2. M. : IEEE, 2017. P. 423-428. doi
- Chapter Petrosyants K. O., Lebedev S. V., Sambursky L. M., Stakhin V. G., Kharitonov I. A., Ismail-zade M. R., Ignatov P. V. High temperature submicron SOI CMOS technology characterization for analog and digital applications up to 300°C, in: 33rd Thermal Measurement, Modeling & Management Symposium (SEMI-THERM). PROCEEDINGS 2017. Denver : IEEE, 2017. P. 229-234. doi
- Chapter Самбурский Л. М., Исмаил-Заде М. Р., Кузин Е. Ю., Четвериков И. А., Даныкин В. С. Исследование характеристик и определение параметров SPICE-моделей субмикронных КНИ МОПТ в диапазоне температуры до 300°C // В кн.: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия. М. : НИИСИ РАН, 2017. С. 55-56.
- Article Харитонов И. А., Четвериков И. А., Кузин Е. Ю., Исмаил-Заде М. Р. Определение параметров SPICE-моделей МОПТ при низких температурах (до минус 200°C) // Труды НИИСИ РАН. 2017. Т. 7. № 2. С. 41-45.
- Chapter Харитонов И. А., Четвериков И. А., Кузин Е. Ю., Исмаил-Заде М. Р. Определение параметров SPICE-моделей МОПТ при низких температурах (до минус 200°C) // В кн.: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия. М. : НИИСИ РАН, 2017. С. 66-67.
- Chapter Исмаил-Заде М. Р. Подход к экстракции параметров SPICE-моделей субмикронных КНИ МОПТ с учетом повышенной температуры (до 300°C) // В кн.: Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов им. Е.В. Арменского / Под общ. ред.: А. Н. Тихонов, С. А. Аксенов, У. В. Аристова, А. А. Елизаров, В. П. Кулагин, Ю. Л. Леохин, А. Б. Лось, И. С. Смирнов, Н. С. Титкова. М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2017. С. 282-283.
- Chapter Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Исмаил-Заде М. Р., Стахин В. Г., Лебедев С. В. Характеризация элементов высокотемпературных КМОП ИС // В кн.: Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур. XVII научно-практический семинар с международным участием: сборник трудов. Н. Новгород : ФГУП «ФНПЦ НИИИС им. Ю.Е. Седакова», 2017. С. 76-79.
20163
- Chapter Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M., Ismail-zade M. R. Complex for automated measurement and processing of BJTs and MOSFETs characteristics for extremal applications, in: 2016 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON). Proceedings. M. : HSE, 2016. P. 1-4. doi
- Chapter Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М. Измерение электрических характеристик и определение параметров моделей биполярных и МОП-транзисторов с учетом тепловых и радиационных эффектов // В кн.: Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов НИУ ВШЭ им. Е.В. Арменского. Материалы конференции / Под общ. ред.: А. Н. Тихонов, С. А. Аксенов, У. В. Аристова, Л. Н. Кечиев, В. П. Кулагин, Ю. Л. Леохин, А. Б. Лось, И. С. Смирнов, Н. С. Титкова. М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2016. С. 280-281.
- Chapter Лебедев С. В., Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Стахин В. Г., Харитонов И. А., Исмаил-Заде М. Р. Исследование характеристик КНИ МОП-транзисторов высокотемпературных ИС (до 300°С) при уменьшении размеров до 0,18 мкм. // В кн.: Международной форум "Микроэлектроника-2016". 2-я научная конференция "Интегральные схемы и микроэлектронные модули". М. : Техносфера, 2016. С. 237-238.
20152
- Chapter Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М. Программно-аппаратный комплекс для экстракции параметров SPICE-моделей МОП-транзисторов с учётом воздействия стационарного радиационного излучения // В кн.: Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов НИУ ВШЭ им. Е.В. Арменского. Материалы конференции / Под общ. ред.: А. Н. Тихонов, В. Н. Азаров, У. В. Аристова, М. В. Карасев, В. П. Кулагин, Ю. Л. Леохин, Б. Г. Львов, Н. С. Титкова, С. У. Увайсов. М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2015. С. 262-263.
- Article Исмаил-Заде М. Р., Полесский С. Н., Увайсов С. У. Программный комплекс автоматизированного синтеза набора тестовых воздействий на базе LABVIEW // Качество. Инновации. Образование. 2015. № 10. С. 33-38.
20143
- Chapter Исмаил-Заде М. Р., Калигин Н. Н., Журков А. П. Анализ состояния проблемы экстренного реагирования при авариях на дорогах // В кн.: Сборник трудов VII Международной научно-практической конференции учащихся и студентов Ч. 1. Протвино : Управление образования и науки г. Протвино, 2014. С. 113-114.
- Article Исмаил-Заде М. Р., Увайсов С. У., Тихменев А. Н. Архитектура информационной системы диагностического моделирования // Качество. Инновации. Образование. 2014. № 12. С. 81-87.
- Chapter Исмаил-Заде М. Р., Калигин Н. Н., Журков А. П. Программное обеспечение для системы автоматизированного контроля аппаратуры пеленгаторной позиции // В кн.: Сборник трудов VII Международной научно-практической конференции учащихся и студентов Ч. 1. Протвино : Управление образования и науки г. Протвино, 2014. С. 105-108.
Conferences
- 2020
Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых (Республика Крым, г. Ялта). Presentation: SPICE модели субмикронных КМОП транзисторов в диапазоне криогенной температуры
- 2019
Международный форум «Микроэлектроника-2019». Школа молодых ученых (Республика Крым, г. Ялта, пгт. Гурзуф). Presentation: SPICE-модели JFET и MOSFET в широком диапазоне температуры (–200…+300°C)
- 2018XVIII Научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур» (Нижний Новгород). Presentation: Отечественная библиотека моделей МОП-транзисторов для расчетов КМОП БИС с учетом радиации и температуры
- XVII Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Presentation: Экспериментальное исследование и моделирование ВАХ субмикронных МОП-транзисторов в диапазоне температуры -200…+300°C
- Международный форум «Микроэлектроника-2018». 4-я Международная научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули» (Крым, г. Алушта). Presentation: Принципы разработки библиотек SPICE моделей электронных компонентов для ответственных применений отечественного производства
- Международный форум «Микроэлектроника-2018». 4-я Международная научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули» (Крым, г. Алушта). Presentation: Моделирование сбоев в КНИ/КНС КМОП-схемах с использованием универсальной SPICE-модели
- 2017
Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов им. Е.В. Арменского (Москва). Presentation: Подход к экстракции параметров SPICE-моделей субмикронных КНИ МОПТ с учетом повышенной температуры (до 300°C)
- XVII научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур» (Нижний Новгород). Presentation: Характеризация элементов высокотемпературных КМОП ИС
XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Presentation: Исследование характеристик и определение параметров SPICE-моделей субмикронных КНИ МОПТ в диапазоне температуры до 300°C
XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Presentation: Определение параметров SPICE-моделей МОПТ при низких температурах (до минус 200°C)
- 2016
Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов имени Е.В. Арменского. Presentation: Измерение электрических характеристик и определение параметров моделей биполярных и МОП-транзисторов с учетом тепловых и радиационных эффектов
- XVI ежегодный международный научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур» (Нижний Новгород). Presentation: Исследование характеристик КМОП КНИ транзисторов с длиной канала 0.18…0.6 мкм в диапазоне температур до 300°С
- 2015
Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов НИУ ВШЭ им. Е.В. Арменского (Москва). Presentation: Программно-аппаратный комплекс для экстракции параметров SPICE-моделей МОП-транзисторов с учётом воздействия стационарного радиационного излучения